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LED外延片技术发展趋势及工艺——pcb抄板

2020-11-25 点击量:

     LED的波长,亮度和正电压等主要光电参数基本上取决于扩展片材料,因此了解作为LED工作原理核心部分的LED扩展芯片技术的发展和过程非常重要。
     1:完善两步成长过程
     目前,商业化生产是一个两步增长的过程,但是一个可装入基板的数量是有限的,6芯片机更成熟,20左右的机器仍很成熟,领先后的件数云南11选5扩展芯片的均匀性还不够。趋势有两个方向:第一,开发可同时将云南11选5基板扩展件放入反应室的技术,更适合大规模生产以降低成本;第二,开发高度自动化,可重复的单芯片设备。
     2:氢汽相扩展(HVPE)技术
     该技术可以快速生长具有低超断裂密度的厚膜,该膜可以通过其他方法用作均匀延伸膜生长的基质。与衬底分离的GaN膜具有替代体单晶GaN芯片的潜力。 HVPE的缺点是难以精确控制膜厚,反应气体对设备有腐蚀作用,影响GaN材料的纯度进一步提高。
     3:选择性扩展芯片生长或横向扩展芯片生长技术
     该技术可以进一步降低位错误密度并改善GaN延伸片层的晶体质量。首先,在合适的衬底(蓝宝石或碳化硅)上沉积GaN层,然后在其上沉积多态SiO掩模层,然后使用光致抗蚀剂和蚀刻技术形成GaN窗口和掩模条。在随后的生长过程中,扩展GaN首先在GaN窗口上生长,然后在SiO条上水平生长。
     4:悬架扩展技术(Pendeo-epitaxy)
     该方法可以大大减少由于基底与延伸片层之间的晶格不合和热不合而导致的外部晶格层中的大量晶格缺陷,并进一步提高了GaN延伸片层的晶体质量。首先,以两步法在合适的衬底(6H-SiC或Si)上生长GaN延伸层。然后在选择过程中蚀刻外膜,一直到基板。这导致了GaN /缓冲层/衬底的柱结构和凹槽的交替形状。然后进行GaN延伸片层的生长,这时GaN延伸片层的生长被悬浮在凹槽上方,在水平延伸膜的原始GaN延伸层侧壁中生长。以此方式,不需要掩模,从而避免了氮化膜材料之间的接触。
     5:短波长UV LED延伸膜材料的研究与开发
     为紫外三色荧光粉白色LED的开发奠定了坚实的基础。有许多可用于紫外光激发的高效荧光粉,其发光效率远远高于当前使用的YAG:Ce系统,这使得将白色LED轻松提升到一个新的水平。
     6:开发多量子阱芯片技术
     多量子阱型是在芯片发光层的生长过程中,掺杂不同的杂质以产生不同结构的量子阱,通过不同的量子阱发出的各种光子络合物直接发射白光。这种方法提高了发光效率,可以降低成本,降低封装和电路控制的难度,但技术难度较大。
     7:开发“光子重环”技术
     1999年1月,日本住友公司开发了ZnSe材料的白色LED。该技术是首先在ZnSe单晶衬底上生长cdZnSe膜,然后该膜发出的蓝光和ZnSe衬底起互补的黄光的作用,从而形成白光源。美国波士顿大学的光子研究中心使用相同的方法将Al InGaP半导体复合物堆叠在蓝光GaN-LED上,蓝光GaN-LED也会产生白光。
     LED扩展芯片工艺
     基板结构设计“缓冲层生长” N型GaN层生长“多量子阱发光层生长” P型GaN层生长“反射”检测(光荧光,X射线)延伸薄片。
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